网站首页 > 产品> HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A| IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

HGTD1N120BNS9A

描述 :   IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

品牌 :   Fairchild Semiconductor

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Collector (Ic) (Max) 5.3A
Current - Collector Pulsed (Icm) 6A
Gate Charge 14nC
IGBT Type NPT
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Power - Max 60W
Reverse Recovery Time (trr) -
Supplier Device Package TO-252AA
Switching Energy 70µJ (on), 90µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 15ns/67ns
Test Condition 960V, 1A, 82 Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
  • atmel 触摸屏

      中国上海,2015年9月17日–全球微控制器(MCU)及触控技术解决方案领域的领导者Atmel公司(纳斯达克股票交易代码:ATML)今日发布全新的mXT...

  • xilinx芯片

      PFP的全称是“Power Fingerprinting”,寓意能够察觉任务网络系统入侵的蛛丝马迹,该公司主要为用户提供系统安全保障的解决方案,其检测系统...

  • cirrus logic芯片

      Cirrus Logic股价周三收盘于40.78美元,较上一交易日上涨2.57%。在盘后交易中曾一度大涨11%,但最终回落到收盘价附近。  Cirrus Logic去年总...

  • vishay/ir

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,发布新的红外(IR)传感器---TSSP4056,可在各种系统中实现快速、低...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9