网站首页 > 产品> HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A| IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

HGTD1N120BNS9A

描述 :   IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

品牌 :   Fairchild Semiconductor

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Collector (Ic) (Max) 5.3A
Current - Collector Pulsed (Icm) 6A
Gate Charge 14nC
IGBT Type NPT
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Power - Max 60W
Reverse Recovery Time (trr) -
Supplier Device Package TO-252AA
Switching Energy 70µJ (on), 90µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 15ns/67ns
Test Condition 960V, 1A, 82 Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
  • vishay sfernice

      可靠的性能和结构,使RAME027成为强振动和冲击等严苛工况的理想解决方案。Vishay可以根据客户的特殊机械尺寸、输出SSI、精度和分辨率、功...

  • vishay group

      8月8日Vishay精密集团(股票代码:VPG)公布财报,公告显示公司2017财年第二财季净利润为361.90万美元,营业收入为6231.90万美元。  VishayP...

  • vishay draloric

      Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出专门为在家用电器、电能表和电源中出现过载情况时能够保证进行安全和静音熔断操作...

  • vishay intertechnologies

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出业界首款用于高频RF和微波应用的表面贴装多层陶瓷片式电容器(ML...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9