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VS-GT400TH120N| IGBT 1200V 600A 2119W DIAP

VS-GT400TH120N

描述 :   IGBT 1200V 600A 2119W DIAP

品牌 :   Vishay Semiconductor Diodes Division

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库存: AVAIL

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属性

Configuration Half Bridge
Current - Collector (Ic) (Max) 600A
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
IGBT Type Trench
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 28.8nF @ 25V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor No
Package / Case Double INT-A-PAK (3 + 8)
Power - Max 2119W
Supplier Device Package Double INT-A-PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 400A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
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