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IPD053N08N3GBTMA1| MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3

IPD053N08N3GBTMA1

描述 :   MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3

品牌 :   Infineon Technologies

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 69nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 4750pF @ 40V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Power - Max 150W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3 mOhm @ 90A, 10V
Supplier Device Package PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 90µA
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