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IPA50R650CE| MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220FP

IPA50R650CE

描述 :   MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220FP

品牌 :   Infineon Technologies

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
FET Feature Super Junction
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 15nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 342pF @ 100V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Power - Max 27.2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650 mOhm @ 1.8A, 13V
Supplier Device Package PG-TO-220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 150µA
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电子元件制造商

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