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IPD50R950CE| MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO252

IPD50R950CE

描述 :   MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO252

品牌 :   Infineon Technologies

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
FET Feature Super Junction
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 10.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 231pF @ 100V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Power - Max 34W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950 mOhm @ 1.2A, 13V
Supplier Device Package PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 100µA
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