网站首页 > 产品> IPB260N06N3GATMA1

IPB260N06N3GATMA1| MOSFET N-CH 60V 27A TO263-3

IPB260N06N3GATMA1

描述 :   MOSFET N-CH 60V 27A TO263-3

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 15nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1200pF @ 30V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power - Max 36W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25.7 mOhm @ 27A, 10V
Supplier Device Package PG-TO263-2
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 11µA
  • vishay mosfet

      据悉,Vishay近日宣布,发布新的30V N沟道TrenchFET第四代功率MOSFET---SiA468DJ,为移动设备、消费电子和电源提供了更高的功率...

  • vishay收购

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,与台湾凌耀科技股份有限公司(Capella Microsystems,股票代码3582)达...

  • vishay beyschlag

      日前,Vishay宣布,为现有的MCW 0406 AT产品线增添功率处理能力达到1W的新外形尺寸产品---MCW 0612 AT Professional,扩充了MCW ...

  • vishay收购ir

      Vishay公司作出一项非约束性收购计划,即耗资16亿美元来收购IR公司(InternationalRectifier)的股票。如果该项交易通过的话,收购将强化Vish...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9