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IRFHM830TR2PBF| MOSFET N-CH 30V 21A PQFN

IRFHM830TR2PBF

描述 :   MOSFET N-CH 30V 21A PQFN

品牌 :   Infineon Technologies

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Ta), 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 31nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2155pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-VQFN Exposed Pad
Power - Max 2.7W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8 mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package PQFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA
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