网站首页 > 产品> IPD110N12N3GBUMA1

IPD110N12N3GBUMA1| MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3

IPD110N12N3GBUMA1

描述 :   MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 120V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 65nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 4310pF @ 60V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Power - Max 136W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 83µA
  • vishay和ir

      日前,Vishay Intertechnology, Inc宣布,推出用于消费类产品中红外遥控应用的两个新系列微型红外(IR)接收器模块---TSOP33xxx和TSOP...

  • atmel驱动

      Atmel推出内置防盗基站的新一代4通道被动式无钥门禁(PKE)线圈驱动器。全新Atmel ATA5291PKE线圈驱动器可扩展至8条低频(LF)通道,达到...

  • atmel加密芯片

      全球微控制器(MCU)及触控技术解决方案领域的领导者Atmel公司 (NASDAQ:ATML)与京东智能(JD Smart)今日联合宣布,双方合作举办的...

  • xilinx开发板

      SDN可以划分为三层,中间是控制器,用于接收控制指令来操作下面设备的程序,上层是应用App,负责调用控制器提供的接口和数据来实现各种功能,...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9