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IPB034N06N3GATMA1| MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7
在线报价一
属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 130nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 11000pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| Power - Max | 167W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4 mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 93µA |
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