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IPB034N06N3GATMA1| MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7

IPB034N06N3GATMA1

描述 :   MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7

品牌 :   Infineon Technologies

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 130nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 11000pF @ 30V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Power - Max 167W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4 mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 93µA
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