网站首页 > 产品> IPI80N06S4L05AKSA1

IPI80N06S4L05AKSA1| MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3

IPI80N06S4L05AKSA1

描述 :   MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 110nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 8180pF @ 25V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Power - Max 107W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.1 mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 60µA
  • vishay thin film

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新的超精密薄膜片式电阻---PLTU,其TCR和公差均比前一代器件有大幅度的改善。Vishay D...

  • avago 编码器

      Avago Technologies日前宣布推出市场上分辨率最高的霍尔效应磁性编码器。新款AEAT-6600-T16编码器具有强大的性能,可为严苛的工业应用运行...

  • xilinx电子

      赛灵思公司(Xilinx, Inc.)今天宣布,百度已在其公有云中部署了基于赛灵思 FPGA 的应用加速服务。百度 FPGA 云服务器是百度云推出的一项...

  • vishay电位器

      日前,Vishay Intertechnology, Inc宣布,将于11月9—10日在中国启动威世电阻学院计划。威世电阻学院(Vishay Resistors University)是一个面...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9