网站首页 > 产品> IPD50N06S409ATMA1

IPD50N06S409ATMA1| MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

IPD50N06S409ATMA1

描述 :   MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 47nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 3785pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Power - Max 71W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 34µA
  • atmel mcu

      全球微控制器(MCU)和触摸解决方案领域的领导者Atmel公司(纳斯达克:ATML)今日宣布推出ATtiny441和 ATtiny841,进一步拓展其低功耗8位...

  • xilinx开发板

      SDN可以划分为三层,中间是控制器,用于接收控制指令来操作下面设备的程序,上层是应用App,负责调用控制器提供的接口和数据来实现各种功能,...

  • vishay 电位器

      目前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用Bulk Metal®箔工艺的超高精度Accutrim™系列微调电位器 --- 1202系列,该系列器件采用1...

  • vishay电容

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出在-55℃~+175℃温度及50%电压降额情况下工作的新系列HI-TMP®...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9