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IPS12CN10LGBKMA1| MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3-11
在线报价一
属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 69A (Tc) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 58nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5600pF @ 50V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Power - Max | 125W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.8 mOhm @ 69A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 83µA |
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