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IPP12CN10LGHKSA1| MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3

IPP12CN10LGHKSA1

描述 :   MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3

品牌 :   Infineon Technologies

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 69A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 58nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 5600pF @ 50V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Power - Max 125W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 69A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 83µA
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