网站首页 > 产品> IPI032N06N3 G

IPI032N06N3 G| MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3

IPI032N06N3 G

描述 :   MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 165nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 13000pF @ 30V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Power - Max 188W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 118µA
  • atmel 编译器

      爱特梅尔Software Framework集成了流行的嵌入式操作系统FreeRTOS,并通过Atmel Gallery供给,为设计人员提供了在其MCU设计中使用实时...

  • atmel 8051

      89C51受到了PIC单片机阵营的挑战,89C51最致命的缺陷在于不支持ISP(在线更新程序)功能,必须加上ISP功能等新功能才能更好延续MCS-5...

  • maxim 半导体

      德意志银行的分析师在其最近的调研报告里写到:“我们坚信在现在的半导体环境下,并购会长期存在”,并且他们认为,Maxim是这个“半导体潜在收购...

  • vishay收购ir

      Vishay公司作出一项非约束性收购计划,即耗资16亿美元来收购IR公司(InternationalRectifier)的股票。如果该项交易通过的话,收购将强化Vish...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9