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IPI030N10N3GHKSA1| MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
在线报价一
属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 206nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 14800pF @ 50V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Power - Max | 300W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 275µA |
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