网站首页 > 产品> IPD25CNE8N G

IPD25CNE8N G| MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3

IPD25CNE8N G

描述 :   MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 85V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 31nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2070pF @ 40V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Power - Max 71W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 35A, 10V
Supplier Device Package PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 39µA
  • vishay / dale

      发布的这颗带三个传感pin脚的电阻采用了独有的加工工艺,实现了50µΩ、100µΩ和125µΩ的极低阻值。低阻值使电阻能测量出更准确的数据,用来判断...

  • altera下载器

      Altera将在其20nm的产品上实现对于FPGA硅片融合的创新技术。在20nm的平台上,Altera将向客户提供一个终极系统集成平台,一个混合系统架构,...

  • vishay mos

      Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款高电流密度的50V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器---V...

  • 威世vishay

      Vishay Intertechnology, Inc.宣布,将于11月9—10日在中国启动威世电阻学院计划。威世电阻学院(Vishay Resistors University)是一个面向设...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9