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IPD12CNE8N G| MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3

IPD12CNE8N G

描述 :   MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3

品牌 :   Infineon Technologies

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 67A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 85V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 64nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 4340pF @ 40V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Power - Max 125W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.4 mOhm @ 67A, 10V
Supplier Device Package PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 83µA
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