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IPB05CN10N G| MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
在线报价一
属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 181nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 12000pF @ 50V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Power - Max | 300W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1 mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-2 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
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电子元件制造商
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品牌 : Texas Instruments
型号 : MSP430F149IPMR-KAM
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品牌 : STMicroelectronics
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品牌 : Texas Instruments
型号 : TMS320F2812PGFAG4
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品牌 : Atmel
型号 : ATMEGA328P-AU
