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IPD105N03LGATMA1| MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3

IPD105N03LGATMA1

描述 :   MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3

品牌 :   Infineon Technologies

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1500pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Power - Max 38W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5 mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
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