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BSP149L6327HTSA1| MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
在线报价一
属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 660mA (Ta) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| FET Feature | Depletion Mode |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 14nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 430pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Power - Max | 1.8W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 660mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 400µA |
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