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IPB80N06S3L-06| MOSFET N-CH 55V 80A TO-263

IPB80N06S3L-06

描述 :   MOSFET N-CH 55V 80A TO-263

品牌 :   Infineon Technologies

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 196nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 9417pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power - Max 136W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.6 mOhm @ 56A, 10V
Supplier Device Package PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 80µA
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