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SPN02N60C3| MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223
在线报价一
属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 400mA (Ta) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 200pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Power - Max | 1.8W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 1.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 80µA |
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电子元件制造商
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型号 : MSP430F149IPMR-KAM
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品牌 : STMicroelectronics
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