网站首页 > 产品> IRF3711LPBF

IRF3711LPBF| MOSFET N-CH 20V 110A TO-262

IRF3711LPBF

描述 :   MOSFET N-CH 20V 110A TO-262

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 110A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 44nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2980pF @ 10V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Power - Max 3.1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
  • vishay和ir

      日前,Vishay Intertechnology, Inc宣布,推出用于消费类产品中红外遥控应用的两个新系列微型红外(IR)接收器模块---TSOP33xxx和TSOP...

  • maxim系列

      Products, Inc. (NASDAQ: MXIM)推出单芯片、多标准、RF至比特流(RF to Bits)小蜂窝无线收发器MAX2580*。该高集成度方案仅需极...

  • xilinx器件

      前软件系统的高度自动化,硬件的不断精简优化以及任意方式的互联互通让系统级应用达到了前所未有的智能化,逐渐影响着嵌入式视觉和工业物联网领域...

  • vishay 电位器

      目前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用Bulk Metal®箔工艺的超高精度Accutrim™系列微调电位器 --- 1202系列,该系列器件采用1...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9