网站首页 > 产品> SPA11N60C3XKSA1

SPA11N60C3XKSA1| MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP

SPA11N60C3XKSA1

描述 :   MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 60nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1200pF @ 25V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Power - Max 33W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 7A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-31 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 500µA
  • xilinx芯片

      PFP的全称是“Power Fingerprinting”,寓意能够察觉任务网络系统入侵的蛛丝马迹,该公司主要为用户提供系统安全保障的解决方案,其检测系统...

  • vishay公司

    威世半导体(Vishay Semiconductors)整合了过去的威世特洛芬肯(Vishay Telefunken)、过去的通用半导体(General Semiconductor)的生产线、英...

  • vishay电容器

      近日,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,扩展其M39006/33(Style CLR93)钽外壳严格密封的液钽电容器的电容范围。该器件为关键的航空和航...

  • vishay牌

       Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新的符合JEDEC MO-137 variation AB和AE的16pin和24pin版本,扩充其采用25mil引脚间距Q...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9