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IRF6602| MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET

IRF6602

描述 :   MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET

品牌 :   Infineon Technologies

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Ta), 48A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 18nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1420pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case DirectFET™ Isometric MQ
Power - Max 2.3W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13 mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package DIRECTFET™ MQ
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
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