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BSP295E6327| MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223

BSP295E6327

描述 :   MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223

品牌 :   Infineon Technologies

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 17nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 368pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Power - Max 1.8W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 1.8A, 10V
Supplier Device Package PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id 1.8V @ 400µA
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