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BSS119E6327| MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

BSS119E6327

描述 :   MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

品牌 :   Infineon Technologies

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 170mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 2.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 78pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 360mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 Ohm @ 170mA, 10V
Supplier Device Package PG-SOT23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 50µA
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