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IRF5803D2| MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
在线报价一
属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.4A (Ta) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Diode (Isolated) |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 37nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1110pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 112 mOhm @ 3.4A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
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