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IRF5806| MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP

IRF5806

描述 :   MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP

品牌 :   Infineon Technologies

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 11.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 594pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 86 mOhm @ 4A, 4.5V
Supplier Device Package Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
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电子元件制造商

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