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SI4435DYTR| MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

SI4435DYTR

描述 :   MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

品牌 :   Infineon Technologies

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 60nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2320pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Power - Max 2.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
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