网站首页 > 产品> 2N6796

2N6796| MOSFET N-CH 100V TO-205AF TO-39

2N6796

描述 :   MOSFET N-CH 100V TO-205AF TO-39

品牌 :   Microsemi Corporation

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 6.34nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds -
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-205AF Metal Can
Power - Max 800mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package TO-39
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250mA
  • vishay mkp

      高性能镀金属聚丙烯膜缓冲电容器——Vishay Roederstein MKP386M,该器件可直接安装在绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块上,容量从0.047μF...

  • vishay 薄膜电容

      Vishay展示的器件包括牛角式和螺栓式功率铝电解电容器、低压金属化薄膜电容器,以及用于功率电子和功率校正控制器的DC-link和交流滤波电容器。...

  • vishay roederstein

      Vishay Intertechnology宣布,发布其2014年“Super 12”明星产品。每年,Vishay都会挑出12款采用全新技术,能够大幅提高终端产品和系统性能的...

  • altera fpga 介绍

      赛灵思公司(Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX) )近日宣布其旗下首批Artix?-7 FPGA 系列产品正式出货。该新型器件将FPGA 技术的触角...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9