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BUK9E1R6-30E,127| MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
BUK9E1R6-30E,127
描述 : MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
品牌 : NXP Semiconductors
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库存: AVAIL
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属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 113nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 16150pF @ 25V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Power - Max | 349W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
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