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SIE836DF-T1-GE3| MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
SIE836DF-T1-GE3
描述 : MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
品牌 : Vishay Siliconix
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库存: AVAIL
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属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18.3A (Tc) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 41nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1200pF @ 100V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 10-PolarPAK® (SH) |
| Power - Max | 104W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 4.1A, 10V |
| Supplier Device Package | 10-PolarPAK® (SH) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
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电子元件制造商
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