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SI4418DY-T1-GE3| MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC

SI4418DY-T1-GE3

描述 :   MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC

品牌 :   Vishay Siliconix

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds -
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Power - Max 1.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
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电子元件制造商

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