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SI4190DY-T1-GE3| MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC
SI4190DY-T1-GE3
描述 : MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC
品牌 : Vishay Siliconix
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库存: AVAIL
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属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 58nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2000pF @ 50V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Power - Max | 7.8W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8 mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
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