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SI2327DS-T1-GE3| MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT-23

SI2327DS-T1-GE3

描述 :   MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT-23

品牌 :   Vishay Siliconix

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 380mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 510pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 750mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.35 Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
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