网站首页 > 产品> SSM3K106TU(TE85L)

SSM3K106TU(TE85L)| MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM

SSM3K106TU(TE85L)

描述 :   MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM

品牌 :   Toshiba Semiconductor and Storage

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate, 4V Drive
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs -
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 36pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 3-SMD, Flat Leads
Power - Max 500mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 310 mOhm @ 600mA, 10V
Supplier Device Package UFM
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 100µA
  • vishay电子

      Vishay展示了3台特地从德国运来的与汽车电子相关的demo,分别是:  (1) 用于48V板网的马达驱动装置  展示的主要参数:用于轻混动力系统的电...

  • vishay sprague

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款通过Defense Logistics Agency (DLA)——美国国防后勤局Specification 13008认证的新...

  • vishay 电容

      Vishay检查表: 采用安规电容防止过载的注意事项   1. 所需电容类型取决于进行差模滤波还是共模滤波    · 差模干扰指脉冲信号沿两条导线(L...

  • vishay tvs

      Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用超薄DO-214AA封装的新系列表面贴装TransZorb®瞬态电压抑制器(TVS)...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9