网站首页 > 产品> 2SK536-TB-E

2SK536-TB-E| MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP

2SK536-TB-E

描述 :   MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP

品牌 :   SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 50V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs -
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 15pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 125°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 200mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 Ohm @ 10mA, 10V
Supplier Device Package 3-CP
Vgs(th) (Max) @ Id -
  • atmel存储芯片

      微控制器和触控方案领导厂商Atmel宣布推出全新单芯片AES-128防盗器和遥控无匙进入AVR®微控制器,适合于汽车用混合式钥匙应用。此混合式钥...

  • atmel 9g45开发板

      通用嵌入式微控制器在片上使用丰富的外设配合中央处理单元与外部环境进行交互,设计芯片的硬件工程师为了满足不同的通信需求,设计了不同的外设模...

  • vishay电感

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新的通过AEC-Q200认证的超薄、大电流IHLP 电感器——Vishay Dale IHLP1616BZ-5...

  • altera开发板

      Altera日前发布一款采用Stratix II的数字信号处理(DSP)开发套件,其DSP套件开发板采用了Stratix II EP2S180 FPGA,据称拥有的...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9