网站首页 > 产品> 2SK536-TB-E

2SK536-TB-E| MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP

2SK536-TB-E

描述 :   MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP

品牌 :   SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 50V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs -
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 15pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 125°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 200mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 Ohm @ 10mA, 10V
Supplier Device Package 3-CP
Vgs(th) (Max) @ Id -
  • vishay semiconductor diodes division

      日前,VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,新增10颗采用eSMP?系列MicroSMP(DO-219AD)封装的1A和2A器件,...

  • xilinx工具

      赛灵思宣布,其面向OpenCL™、C和C++的SDAccel™开发环境顺利通过Khronos OpenCL 1.0标准一致性测试。OpenCL标准为软件开发人员提...

  • vishay bc components

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,常用的VY1和VY2系列交流线路瓷片安规电容器新增采用Y5V陶瓷电介质...

  • avago安华高

      据MarketWatch报道,美国芯片制造商博通(57.13, 10.21, 21.76%)公司(Broadcom)正就出售公司事宜与安华高科技有限公司(Avago Technologies)进...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9