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SI1065X-T1-GE3| MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6
SI1065X-T1-GE3
描述 : MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6
品牌 : Vishay Siliconix
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库存: AVAIL
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属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 10.8nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 480pF @ 6V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Power - Max | 236mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 156 mOhm @ 1.18A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-89-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
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