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TPC6006-H(TE85L,F)| MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A

TPC6006-H(TE85L,F)

描述 :   MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A

品牌 :   Toshiba Semiconductor and Storage

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 4.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 251pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Power - Max -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 mOhm @ 1.9A, 10V
Supplier Device Package VS-6 (2.9x2.8)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
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