网站首页 > 产品> TN0200K-T1-E3

TN0200K-T1-E3| MOSFET N-CH 20V SOT23-3

TN0200K-T1-E3

描述 :   MOSFET N-CH 20V SOT23-3

品牌 :   Vishay Siliconix

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds -
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 350mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 600mA, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 50µA
  • altera开发

      Terasic Technologies是Altera的重要设计服务网络合作伙伴。Atlas-SoC开发套件专为嵌入式软件开发人员而设计,其功能在于启动Linux、运行网...

  • vishay钽电容代理

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用钽外壳和glass-to-tantalum密封的新系列液钽电容器---T16,该器件特别适用于航空、航天领域...

  • maxim 芯片

      USB Type-C产品必须产生一路3.3V的常开电源,以检测USB插入事件。利用MAX77756降压转换器可以从Type-C供电(PD)电压(5V至20V)产...

  • vishay / dale

      发布的这颗带三个传感pin脚的电阻采用了独有的加工工艺,实现了50µΩ、100µΩ和125µΩ的极低阻值。低阻值使电阻能测量出更准确的数据,用来判断...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9