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SI5858DU-T1-E3| MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

SI5858DU-T1-E3

描述 :   MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

品牌 :   Vishay Siliconix

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Diode (Isolated)
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 16nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 520pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® ChipFET™ Dual
Power - Max 8.3W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Supplier Device Package PowerPAK® ChipFet Dual
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
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电子元件制造商

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