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SI5856DC-T1-E3| MOSFET N-CH 20V 4.4A 1206-8

SI5856DC-T1-E3

描述 :   MOSFET N-CH 20V 4.4A 1206-8

品牌 :   Vishay Siliconix

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Diode (Isolated)
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds -
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Power - Max 1.1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
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