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NTD6600NT4G| MOSFET N-CH 100V 12A DPAK

NTD6600NT4G

描述 :   MOSFET N-CH 100V 12A DPAK

品牌 :   ON Semiconductor

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 20nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 700pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Power - Max 1.28W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 146 mOhm @ 6A, 5V
Supplier Device Package DPAK-3
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
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