网站首页 > 产品> PHK28NQ03LT,518

PHK28NQ03LT,518| MOSFET N-CH 30V 23.7A 8SOIC

PHK28NQ03LT,518

描述 :   MOSFET N-CH 30V 23.7A 8SOIC

品牌 :   NXP Semiconductors

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 30.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2800pF @ 20V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Power - Max 6.25W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 14A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
  • vishay 电位器

      目前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用Bulk Metal®箔工艺的超高精度Accutrim™系列微调电位器 --- 1202系列,该系列器件采用1...

  • vishay group

      8月8日Vishay精密集团(股票代码:VPG)公布财报,公告显示公司2017财年第二财季净利润为361.90万美元,营业收入为6231.90万美元。  VishayP...

  • vishay 电容

      Vishay检查表: 采用安规电容防止过载的注意事项   1. 所需电容类型取决于进行差模滤波还是共模滤波    · 差模干扰指脉冲信号沿两条导线(L...

  • atmel 产品

      Atmel公司营销副总裁Sander Arts先生对自己进行了简单的介绍。他曾任职于Philips和NXP半导体公司,现任职于Atmel,居住在美国旧金山湾区,...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9