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IPB65R150CFDAATMA1| MOSFET N-CH TO263-3

IPB65R150CFDAATMA1

描述 :   MOSFET N-CH TO263-3

品牌 :   Infineon Technologies

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 86nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2340pF @ 100V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power - Max 195.3W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 9.3A, 10V
Supplier Device Package PG-TO263
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 900µA
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电子元件制造商

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