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TK18E10K3,S1X(S| MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB

TK18E10K3,S1X(S

描述 :   MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB

品牌 :   Toshiba Semiconductor and Storage

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 33nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds -
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Power - Max 71W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42 mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id -
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