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GP2M008A060PGH| MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

GP2M008A060PGH

描述 :   MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

品牌 :   Global Power Technologies Group

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 23nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1063pF @ 25V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Power - Max 120W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
Supplier Device Package I-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
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电子元件制造商

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