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SCT50N120| MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3

SCT50N120

描述 :   MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3

品牌 :   STMicroelectronics

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 65A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs *
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1900pF @ 400V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Power - Max 318W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 69 mOhm @ 40A, 20V
Supplier Device Package HiP247™
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
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